10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35003ANT1
Table 7. Class AB Common Source S-Parameters (VDS
= 12 Vdc, I
DQ
= 55 mA, T
A
= 25
°C, 50 Ω
system)
(continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
1.600
0.889
159.4
2.627
45.2
0.0391
-21.2
0.551
169.3
1.625
0.889
159.0
2.594
44.4
0.0392
-21.6
0.551
168.8
1.650
0.888
158.5
2.554
43.6
0.0392
-22.0
0.551
168.4
1.675
0.888
158.1
2.526
42.9
0.0392
-22.4
0.552
168.0
1.700
0.887
157.6
2.486
42.0
0.0392
-22.9
0.552
167.6
1.725
0.887
157.1
2.460
41.3
0.0392
-23.3
0.553
167.2
1.750
0.887
156.6
2.428
40.5
0.0393
-23.7
0.553
166.9
1.775
0.886
156.1
2.395
39.7
0.0393
-24.1
0.553
166.5
1.800
0.886
155.6
2.370
38.9
0.0393
-24.6
0.554
166.2
1.825
0.886
155.1
2.337
38.1
0.0394
-25.0
0.554
165.9
1.850
0.886
154.5
2.315
37.3
0.0394
-25.5
0.554
165.5
1.875
0.885
154.0
2.286
36.5
0.0394
-25.9
0.554
165.2
1.900
0.885
153.5
2.262
35.7
0.0395
-26.3
0.554
164.9
1.925
0.885
152.9
2.238
34.9
0.0395
-26.8
0.554
164.6
1.950
0.884
152.3
2.211
34.0
0.0396
-27.2
0.553
164.4
1.975
0.884
151.7
2.194
33.2
0.0396
-27.7
0.553
164.1
2.000
0.884
151.1
2.168
32.4
0.0397
-28.2
0.553
163.8
2.025
0.883
150.5
2.149
31.6
0.0398
-28.6
0.553
163.5
2.050
0.884
149.9
2.129
30.8
0.0399
-29.1
0.552
163.3
2.075
0.883
149.3
2.108
30.0
0.0400
-29.5
0.551
163.0
2.100
0.883
148.6
2.092
29.2
0.0401
-30.0
0.551
162.8
2.125
0.882
148.0
2.071
28.3
0.0402
-30.5
0.550
162.5
2.150
0.883
147.3
2.058
27.5
0.0402
-30.9
0.550
162.3
2.175
0.882
146.7
2.040
26.7
0.0404
-31.4
0.549
162.0
2.200
0.881
146.0
2.026
25.8
0.0405
-31.9
0.548
161.8
2.225
0.881
145.3
2.012
25.0
0.0406
-32.4
0.547
161.5
2.250
0.880
144.6
1.996
24.2
0.0408
-32.8
0.546
161.2
2.275
0.880
143.9
1.986
23.3
0.0409
-33.3
0.545
160.9
2.300
0.879
143.2
1.971
22.5
0.0411
-33.8
0.544
160.6
2.325
0.878
142.6
1.960
21.6
0.0412
-34.3
0.543
160.3
2.350
0.878
141.9
1.947
20.8
0.0414
-34.9
0.542
160.0
2.375
0.877
141.2
1.936
19.9
0.0416
-35.4
0.541
159.7
2.400
0.876
140.5
1.927
19.0
0.0417
-35.9
0.540
159.3
2.425
0.875
139.8
1.913
18.1
0.0419
-36.5
0.538
158.9
2.450
0.875
139.1
1.905
17.3
0.0421
-37.0
0.537
158.5
2.475
0.875
138.5
1.895
16.4
0.0422
-37.5
0.536
158.1
2.500
0.874
137.8
1.885
15.5
0.0424
-38.1
0.535
157.7
2.525
0.874
137.1
1.877
14.7
0.0425
-38.6
0.533
157.2
2.550
0.873
136.4
1.866
13.8
0.0427
-39.2
0.532
156.7
2.575
0.873
135.8
1.860
12.9
0.0429
-39.7
0.530
156.3
2.600
0.872
135.1
1.850
12.0
0.0431
-40.3
0.529
155.8
2.625
0.871
134.4
1.843
11.1
0.0432
-40.8
0.528
155.3
2.650
0.871
133.7
1.834
10.2
0.0434
-41.4
0.526
154.8
2.675
0.870
133.1
1.826
9.3
0.0436
-41.9
0.525
154.4
(continued)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRFG35003M6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1
TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
MRFG35003N6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35005ANT1
TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5
MRFG35005MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35005NT1
MOSFET RF 3.5GHZ 4.5W 12V 1.5PLD
MRFG35010ANT1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
相关代理商/技术参数
MRFG35003M6R5
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1_06
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003N6AT1
功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003N6T1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NR5
功能描述:TRANSISTOR RF 3W 12V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003NT1
功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR